介质泠模助长的双栅极双层石墨烯 Klein 隧穿
介观与纳米尺度物理
2026-05-19 v1
摘要
我们理论地研究了双栅极双层石墨烯基的 n/p 结中的电子隧穿。结果表明，通过调节栅极电压可引入能隙，从而修改准自旋极化并在法向入射下打破反-Klein 隧穿。具体而言，当左侧和右侧区域中传递波模式和涡模模式的准自旋极化向量正交时，可实现 Klein 隧穿的复活。双层石墨烯中 Klein 隧穿关联的 Berry 相位不局限于 ，而是随结构参数变化。此外，Klein 隧穿伴随着在法向入射处约 的反射相位跳跃。
引用
@article{arxiv.2509.23096,
title = {Evanescent-mode-assisted Klein tunneling in dual-gated bilayer graphene},
author = {Yupeng Huang and W. Zeng},
journal= {arXiv preprint arXiv:2509.23096},
year = {2026}
}