双层石墨烯中从反 Klein 隧穿到 Klein 隧穿的调控
介观与纳米尺度物理
2018-09-26 v2
摘要
我们证明，在带隙双层石墨烯中，准粒子隧穿及其相应的 Berry 相位可以被调控，从而使其展现出单层石墨烯的特征，例如 Klein 隧穿。Berry 相位通过基于双层石墨烯的高质量 Fabry-P\'{e}rot 干涉仪进行检测。我们发现，通过提高电荷载流子的 Fermi 能级，在带隙双层石墨烯中 Berry 相位可以从 连续调控至 ，这与纯净双层石墨烯中恒为 的 Berry 相位形成对比。特别地，我们观察到了 的 Berry 相位，这是单层石墨烯的标准值。随着 Berry 相位减小，电荷载流子在正入射时的相应透射概率清楚地展示了从反 Klein 隧穿到近乎完美的 Klein 隧穿的转变。
引用
@article{arxiv.1703.07260,
title = {Tuning anti-Klein to Klein tunneling in bilayer graphene},
author = {Renjun Du and Ming-Hao Liu and Jens Mohrmann and Fan Wu and Ralph Krupke and Hilbert v. Löhneysen and Klaus Richter and Romain Danneau},
journal= {arXiv preprint arXiv:1703.07260},
year = {2018}
}
备注
19 pages, 12 figures