带隙双层石墨烯中可调且巨大的谷选择性霍尔效应
介观与纳米尺度物理
2022-04-22 v1
摘要
贝里曲率类似于磁场但存在于动量空间中，常见于具有非平凡量子几何的材料中。它赋予布洛赫电子横向反常速度，即使在没有磁场的情况下也能产生类霍尔电流。我们报道了原位可调谷选择性霍尔效应（VSHE）的直接观测，其中反演对称性以及因而电子的几何相位可由面外电场控制。我们使用具有本征且可调带隙的高质量双层石墨烯，以圆偏振中红外光照射，并确认观测到的霍尔电压源于光诱导的谷布居。与二硫化钼相比，我们发现 VSHE 大了数个数量级，这归因于贝里曲率与带隙的反比缩放关系。通过监测谷选择性霍尔电导率，我们研究了贝里曲率随带隙的演化。这种对 VSHE 的原位操控为拓扑和量子几何光电器件（如更鲁棒的开关和探测器）铺平了道路。
引用
@article{arxiv.2204.09525,
title = {Tunable and giant valley-selective Hall effect in gapped bilayer graphene},
author = {Jianbo Yin and Cheng Tan and David Barcons-Ruiz and Iacopo Torre and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Justin C. W. Song and James Hone and Frank H. L. Koppens},
journal= {arXiv preprint arXiv:2204.09525},
year = {2022}
}