通过应变工程在石墨烯中实现 Berry 曲率介导的谷 Hall 效应与电荷 Hall 效应
介观与纳米尺度物理
2011-11-30 v1
摘要
我们指出了一种通过非对角应变在石墨烯中诱导有限电荷 Hall 电导率的实用方法。我们的结论基于一般性分析，并得到了数值算例的支持。讨论了衬底诱导能隙与应变之间的相互作用。我们表明，衬底诱导能隙本身并不破坏将一个谷映射到另一个谷的对称性，因此不会产生净电荷 Hall 效应。研究发现，在能隙与应变同时存在时，净电荷 Hall 电导率相当可观，且应可观测。Hall 电导率的符号可以通过改变应变参数来调节。此外还研究了谷 Hall 电导率。在 Hall 电导率实验中，可能可以检测到样品边缘的谷与轨道磁矩积累。
引用
@article{arxiv.1111.3740,
title = {Berry curvature mediated valley Hall and charge Hall effects in graphene via strain engineering},
author = {Zhen-Gang Zhu and Jamal Berakdar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3740},
year = {2011}
}
备注
22 pages, 5 figures, accepted by Phys. Rev. B