石墨烯中因邻近二硫族化物单层而产生的质量反转
介观与纳米尺度物理
2016-12-21 v1
摘要
将石墨烯层沉积在 TMD 衬底层上所产生的邻近效应改变了石墨烯中电子态的动力学，诱导了自旋轨道耦合（SOC）和交错势效应。一个描述石墨烯中不同对称性破缺项、同时保持时间反演不变性的有效哈密顿量表明，反转质量带隙区域是可能的。不同微扰项之间的竞争导致双层异质结构中出现从反转质量相到交错带隙的转变，如其相图所示。双层的紧束缚计算验证了有效模型参数。层间的相对栅极电压可能在实验可及的系统中产生这种相变。这些相通过 Berry 曲率和谷 Chern 数来表征，证明该系统可能表现出量子自旋霍尔效应和谷霍尔效应。
引用
@article{arxiv.1608.00992,
title = {Mass inversion in graphene by proximity to dichalcogenide monolayer},
author = {Abdulrhman M. Alsharari and Mahmoud M. Asmar and Sergio E. Ulloa},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.00992},
year = {2016}
}
备注
5 pages, 4 figures