石墨烯-拓扑绝缘体混合器件中的隧穿
材料科学
2016-01-20 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
使用机械转移方法制备了石墨烯-拓扑绝缘体（TI）混合器件，并通过电子输运进行了研究。由拓扑绝缘体 BiSe 下方的双层石墨烯（BLG）构成的器件表现出微分电导特性，似乎主要由隧穿主导，大致再现了 BiSe 的态密度。在 BiSe 上方的 BLG 上获得了类似结果，其电导高出 10 倍，这与因表面贴合更好导致的更大接触面积一致。这些器件进一步显示出涉及 BiSe 和石墨烯声子的非弹性声子辅助隧穿过程的证据。这些过程偏好能够补偿 TI 的 点与石墨烯 点之间动量失配的声子。最后，在密度可调的 BLG 器件上展示了这些隧穿结的效用，其中电荷中性点沿着能量-密度轨迹被追踪。该轨迹被用作基态态密度的度量。
引用
@article{arxiv.1504.08311,
title = {Tunneling in graphene-topological insulator hybrid devices},
author = {Hadar Steinberg and Lucas A. Orona and Valla Fatemi and Javier D. Sanchez-Yamagishi and Kenji Watanabe and Takashi Taniguchi and Pablo Jarillo-Herrero},
journal= {arXiv preprint arXiv:1504.08311},
year = {2016}
}