相互作用诱导的高阶拓扑绝缘体通过Floquet工程

高阶拓扑绝缘体在静态单粒子系统和多体晶格系统中均引起了广泛关注。虽然周期驱动(Floquet)的高阶拓扑相已在单粒子层面得到探索，但相互作用在此类系统中的作用仍不太了解。本文通过Floquet工程扩展了先前研究，考察了相互作用诱导的高阶拓扑相。为此，我们在方格晶格上构建了一个受周期驱动的扩展Bose-Hubbard模型。我们展示了从平凡相中涌现的、由相互作用诱导的正常Floquet二阶拓扑角态，对应于doublons（即束缚玻色子对），这些态对无序表现出鲁棒性。值得注意的是，在正常相之外，我们揭示了一个相互作用诱导的反常Floquet二阶拓扑相，其中doublons的带内角态出现在π/T能隙中（T为驱动周期）。我们的模型可通过最先进的超冷原子技术实现，为实现由周期驱动独特启发的相互作用驱动高阶拓扑相提供了平台，在静态或单粒子系统中没有直接对应物。