对称拓扑 Mott 绝缘体与 Mott 半导体
强关联电子
2026-01-07 v1
摘要
近似平坦拓扑带中的相关物理性质是莫尔材料研究中的核心议题。虽然通常在整数填充处的基态被识别为莫霍夫-费ock 框架下的量子霍尔铁磁体，但我们提出对称拓扑 Mott 绝缘体 (STMIs) 的存在，这超越了 Slater 行列式图景。我们聚焦于每个味道单元格中半填充的情况，展示 STMIs 具有量化的电荷或自旋霍尔响应。我们首先在具有局域轨道（A 亚格子）和无位能带（B 亚格子）的双层 Haldane-Hubbard 模型中建立此相。从 A 亚格子上的平凡 Mott 绝缘体出发，通过调节亚格子势驱动其关联的 配对形成从玻色-库仑-施莱夫 (BEC) 到玻色-库仑-施莱夫 (BCS) 相变，实现具有 每个味道的拓扑 Mott 绝缘体。我们进一步将此构造推广到单层自旋模型中，其中得到的 STMI 包含与bulk局域矩共存的电荷边缘模式。在 STMI 与平凡 Mott 绝缘体之间的量子临界点识别为 Mott 半导体。最后，我们讨论了对 AA 堆叠 MoTe/WSe 的应用，提出在对称 Mott 半导体的低温后代中实现铁磁 Chern 绝缘体相。
关键词
引用
@article{arxiv.2601.02485,
title = {Symmetric topological Mott insulator and Mott semimetal},
author = {Boran Zhou and Ya-Hui Zhang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2601.02485},
year = {2026}
}