视为三维对称保护拓扑相表面的摩尔绝缘体
强关联电子
2018-10-12 v2
摘要
近来，在若干具有摩尔超晶格和电荷中性附近窄电子带的不同的体系中，发现了关联物理如超导以及在整数分数电子填充处的绝缘体。在我们了解更多实验细节和描述这些绝缘体的精确微观模型之前，仅基于其对称性和电子填充便可对这些系统得出一些一般性结论。摩尔超晶格中的绝缘体由一个有效自旋-轨道模型描述，其具有比普通自旋系统更高的近似对称性。我们证明，在远离电荷中性的1/2和1/4填充处观测到的绝缘体均可视为三维玻色对称保护拓扑相的边界，因此一旦将空间对称性视为内禀对称性，便具有't Hooft反常。
引用
@article{arxiv.1810.03610,
title = {Moire Insulators viewed as the Surface of three dimensional Symmetry Protected Topological Phases},
author = {Chao-Ming Jian and Cenke Xu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1810.03610},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 2 figures