拓扑莫特绝缘体中的自俘获极化子与拓扑缺陷
量子气体
2020-12-10 v2 介观与纳米尺度物理
强关联电子
摘要
拓扑量子系统中的多体相互作用可产生新的物质相，其同时展现丰富的空间特征与拓扑性质。本文中，我们考虑棋盘格晶格上具最近邻与次近邻相互作用的无自旋费米子。我们计算了半填充时的相图，其中特别地呈现了一个相互作用诱导的量子反常霍尔相。我们利用无约束哈特里-福克（Hartree-Fock）拟设研究非公度填充下的系统，并报道了丰富的求解类型，例如相互作用诱导拓扑绝缘体之上的自俘获极化子与畴壁。我们发现，作为相互作用诱导拓扑与拓扑缺陷之间相互作用的结果，这些畴壁分隔了具有相反拓扑不变量的两相，并承载拓扑保护的手性边缘态。最后，我们讨论了在基于光晶格中激光修饰里德伯原子的量子模拟器中观测这些新现象的实验前景。
引用
@article{arxiv.2006.04671,
title = {Self-Trapped Polarons and Topological Defects in a Topological Mott Insulator},
author = {Sergi Julià-Farré and Markus Müller and Maciej Lewenstein and Alexandre Dauphin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2006.04671},
year = {2020}
}
备注
5 pages, 5 figures + 10 pages of Supplemental Materials. Revised version published in Phys. Rev. Letters