Floquet 陈绝缘体的纠缠性质
介观与纳米尺度物理
2016-11-23 v3
摘要
本文给出了半填充石墨烯在开启圆偏振激光后的纠缠熵与纠缠谱的结果。激光参数选择为对应几种不同的 Floquet 陈绝缘体相。将幺正演化波函数的纠缠性质与其中一个 Floquet 能带被完全占据的状态进行比较。真实状态显示出纠缠的体积律,而 Floquet 状态显示出面积律。在非共振与共振激光的纠缠性质中发现了定性差异。在纠缠谱中发现了对应于陈绝缘体中预期某些物理边缘态的边缘态。然而,一些从 Floquet 能带结构预期的边缘态在纠缠谱中缺失。发展了用于纠缠谱长时间结构的解析理论。文中论证只有对应于非共振过程的边缘态出现在纠缠谱中。
引用
@article{arxiv.1602.02723,
title = {Entanglement properties of Floquet Chern insulators},
author = {Daniel J. Yates and Yonah Lemonik and Aditi Mitra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1602.02723},
year = {2016}
}
备注
published version