一维二聚子化费米- Hubbard 模型的纠缠性质
强关联电子
2026-02-25 v1
摘要
我们研究了一维二聚子化费米- Hubbard 模型的纠缠性质。通过矩阵态方法，我们计算了基态并识别出在 1/2 填充和 3/4 填充处的两种绝缘相以及金属相，其机制可通过其纠缠谱来刻画。我们的发现表明，这两种绝缘相是不同的，这意味着 1/2 填充处的相由于能带隙而产生电荷隧穿，受到有源相互作用的增强；而 3/4 填充处的相则因粒子相互作用产生 Mott 隧穿。这种两种绝缘相之间的差异体现在半链纠缠熵的标度特性以及纠缠谱分布上。
关键词
引用
@article{arxiv.2602.20990,
title = {Entanglement Properties of the One-Dimensional Dimerized Fermi-Hubbard Model},
author = {Min-Chul Cha and Hoon Beom Kwon and Ji-Woo Lee and Myung-Hoon Chung},
journal= {arXiv preprint arXiv:2602.20990},
year = {2026}
}
备注
6 pages and 5 figures