具有两步 Floquet 驱动的无序陈绝缘体
无序系统与神经网络
2016-12-07 v2 介观与纳米尺度物理
量子气体
量子物理
摘要
我们探索了受两步 Floquet 驱动作用的陈绝缘体的物理性质。我们解析地获得了相图，并表明该系统可以展现出不同的拓扑相，其特征是在 Floquet 准能谱的两个体带隙（分别位于 和 附近）中存在边缘态及其手性。我们发现系统的相取决于驱动的平均值，而非其振幅。表征这些相的体拓扑不变量可以通过将一个时间周期内的幺正演化映射到一个能量上平凡但拓扑上非平凡的含时演化来提取。在存在淬火无序的情况下，对体拓扑不变量进行的广泛数值研究揭示了由强无序诱导的新相变：(i) 从不同的拓扑绝缘体相到平凡绝缘体相的转变，以及 (ii) 在中等无序强度下从平凡绝缘体相到拓扑安德森绝缘体相的转变。对准能谱的能级统计进行仔细分析，表明了在这些相变附近存在一种“浮升-湮灭”机制。
引用
@article{arxiv.1608.06302,
title = {Disordered Chern insulator with a two step Floquet drive},
author = {Sthitadhi Roy and G. J. Sreejith},
journal= {arXiv preprint arXiv:1608.06302},
year = {2016}
}
备注
15 pages, 10 figures, version published in Phys. Rev. B