周期驱动 Chern 绝缘体中的拓扑相

周期驱动系统中出现的新型拓扑性质独具特色，其中存在两类准能隙：零准能隙与 $\pi$ 准能隙。相应的边缘模会穿越零准能隙或 $\pi$ 准能隙，或同时穿越两者。这两类边缘模的表征方式可能并不相同。然而，本文发现 Floquet Chern 绝缘体中的零边缘模与 $\pi$ 边缘模均可由同一拓扑不变量表征，其中对应的 Dirac 质量项受到周期驱动。特别地，我们以周期驱动的 Qi-Wu-Zhang 模型为例进行说明。该模型中拓扑由 Floquet Chern 数 $C_F$ 表征，共有六种不同拓扑相，记为 $C_F=\{-1_0,-2,-1_\pi,1_\pi,2,1_0\}$。此外，我们发现周期驱动的 Qi-Wu-Zhang 模型所对应的 Floquet 算符在低能极限下可化为 Dirac 哈密顿量，进而通过考察该 Dirac 哈密顿量的拓扑揭示了相图。我们还通过分析 Floquet 稳态的 von Neumann 熵，在 Floquet 稳态背景下探究了拓扑相变的阶数。我们的工作为理解周期驱动系统中的拓扑相提供了进一步见解。