具有可调第二陈数的周期性驱动四维拓扑绝缘体

近年来，Floquet 工程作为一种调节拓扑相变的有前途的方法而备受关注。在本工作中，我们研究了高频时间周期驱动对四维（4D）拓扑绝缘体的影响，重点关注非共振准能隙处的拓扑相变。4D 拓扑绝缘体具有以第二陈数 $C_{2}$ 为特征的无能隙三维边界态。我们证明了 4D 拓扑绝缘体的第二陈数可以通过调节时间周期驱动的振幅来调制。这包括从 $C_{2}=\pm3$ 的拓扑相向 $C_{2}=\pm1$ 的另一拓扑相的转变，或向 4D 静态系统中不存在的具有偶数第二陈数 $C_{2}=\pm2$ 的拓扑相的转变。最后，高频极限下的近似理论进一步证实了数值结论。