具有涌现第二陈数的四维Floquet拓扑绝缘体
介观与纳米尺度物理
2024-03-11 v2
摘要
Floquet拓扑绝缘体已在低维系统中得到广泛研究。然而，由时间周期驱动在高维系统中诱导的Floquet拓扑绝缘体仍未探索。在这项工作中，我们研究了时间周期驱动在四维（4D）普通绝缘体中的效应，重点关注共振准能隙处的拓扑相变。我们考虑了两种类型的时间周期驱动，包括时间周期在位势和时间周期矢量势。我们揭示了两种类型的时间周期驱动都可以将4D普通绝缘体转变为以涌现的第二陈数为特征的4D Floquet拓扑绝缘体。此外，发现可以通过调节时间周期驱动的强度和频率来调制4D系统的拓扑相。我们的工作将有助于未来对高维Floquet拓扑绝缘体的研究。
引用
@article{arxiv.2312.16013,
title = {Four-dimensional Floquet topological insulator with an emergent second Chern number},
author = {Zheng-Rong Liu and Rui Chen and Bin Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:2312.16013},
year = {2024}
}