多体 Floquet Chern 绝缘体的耗散制备
统计力学
2020-11-11 v2 量子物理
摘要
考虑到将微结构浴的耦合作为周期驱动耗散 Haldane 模型中的弛豫机制,我们确立该系统可在所有有限温度下被调节至一个步进拓扑稳态。周期驱动的振幅与频率经如此选取,使得在无耗散情形下描述步进时刻 Haldane 模型的 Floquet 哈密顿量在拓扑上非平凡。我们确立在步进稳态中,系统达到受控温度下 Floquet 哈密顿量的热态。进一步,观察到即便与准局域浴耦合,令人瞩目的是 Chern 绝缘体确实可被制备于 Chern 非平凡的纯稳态,该态预期展现步进体-边对应。利用 Chern 绝缘体在其拓扑相中宏观体电极化的非唯一性,我们提出一个广义 Chern 不变量,其反映 Haldane 模型非平衡多体步进态的拓扑,即便在耗散环境中亦然。动力学 Chern 绝缘体的广义拓扑依赖于单粒子关联,预期在探测多体量子可观测量实验中显现。
引用
@article{arxiv.2005.09972,
title = {Dissipative preparation of many-body Floquet Chern insulators},
author = {Souvik Bandyopadhyay and Amit Dutta},
journal= {arXiv preprint arXiv:2005.09972},
year = {2020}
}
备注
17 page, 6 figures, text overlap in the appendix with arXiv: 2005.01455, text modified, new citations added