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关于拓扑近藤绝缘体的等离激元学

强关联电子 2019-10-15 v2 介观与纳米尺度物理

摘要

我们研究了体拓扑近藤绝缘体系统的周期安德森模型中的表面态等离激元学,该系统涉及由弱关联d电子屏蔽的强关联f电子,并在奴隶玻色子方案框架内进行了平均场理论计算。我们亦包含了磁杂质的影响,在其方案中它们不作为散射 agent;由它们引起的交换相互作用被纳入能带色散中。该相互作用在具有无能隙狄拉克色散的表面态处打开了一个能隙。我们发现,尽管仅在要求强f电子局域化的条件下,该系统才可能实现体绝缘与表面金属性并存。在我们的报告中,存在带隙表面态的带内和带间声学等离激元的可能性。体金属性的主导性以及这些等离激元的强禁锢能力是本研究其他值得注意的结果。

关键词

引用

@article{arxiv.1909.11005,
  title  = {On Topological Kondo Insulator Plasmonics},
  author = {Partha Goswami},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1909.11005},
  year   = {2019}
}

备注

20 pages, 1 figure