拓扑 Kondo 绝缘体中强 f 电子局域化效应研究
强关联电子
2021-11-29 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们通过在周期 Anderson 模型 (PAM) 框架下使用 slave-boson 技术进行平均场理论 (MFT) 计算，研究了通用拓扑 Kondo 绝缘体 (TKI) 系统中强 f 电子局域化效应对表面态的影响。发现表面金属性与体绝缘性需要此类局域化。常规绝缘体与拓扑绝缘体中表面态的一个关键区别在于：在同一布里渊区 (BZ) 中连接两个时间反演不变动量 (TRIM) 的路径上，这些表面态会与费米能级在能谱隙内相交偶数或奇数次。对于偶数（奇数）次表面态交叉，表面态为拓扑平庸（非平庸）。此处得到的对称性考量与表面能带结构的图示表明奇数次交叉，从而得出结论：至少在 PAM 框架内，该通用系统为强拓扑绝缘体。
引用
@article{arxiv.2110.00461,
title = {On strong f-electron localization effect in topological kondo insulator},
author = {U. P. Tyagi and Kakoli Bera and Partha Goswami},
journal= {arXiv preprint arXiv:2110.00461},
year = {2021}
}
备注
25 pages, 5 figures. To appear online in December 2021. Symmetry 2021, 13, 2245. https://doi.org/10.3390/sym13122245 www.mdpi.com/journal/symmetry