表面局域杂质散射作为拓扑近藤绝缘体的探针
强关联电子
2025-06-05 v4
摘要
在拓扑能带绝缘体被发现后不久，拓扑近藤绝缘体 (TKIs) 也在理论上被预测出来。后者引发了人们对近藤绝缘体性质的复兴兴趣。目前，SmB 中拓扑性质的可行性已通过几种互补探针进行了密集分析。在此，我们从最小轨道 Anderson 晶格模型出发，探索了近藤绝缘体中的局域电子结构。我们表明，夹住弱拓扑区域的两个强拓扑区域会产生单个 Dirac 锥，该锥位于表面布里渊区的中心或角落附近。我们进一步发现，当单个杂质放置在表面上时，在强 TKI 区域的弱散射极限下会诱导低能共振态，且共振能级随杂质散射势强度单调穿过杂化隙；而在弱 TKI 区域，低能态只能在幺正散射极限下被诱导，此时共振能级普遍移向杂化隙的中心。这些由杂质诱导的低能准粒子将在扫描隧道显微镜/谱学中导致特征信号，该方法最近在探测重费米子系统中的奇异性质方面取得了成功。
引用
@article{arxiv.1402.6774,
title = {Surface Local Impurity Scattering as a Probe for Topological Kondo Insulators},
author = {C. -C. Joseph Wang and Jean-Pierre Julien and A. V. Balatsky and Jian-Xin Zhu},
journal= {arXiv preprint arXiv:1402.6774},
year = {2025}
}
备注
8 pages with 4 eps figures embedded, references updated, accepted to Advanced Physics Research