拓扑绝缘体表面上的强势能杂质
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v2 材料科学
摘要
据称，由于 Dirac 表面态中背散射的抑制，拓扑绝缘体（TI）对非磁性杂质散射保持稳定。我们求解了存在强势能杂质情况下的三维 TI 晶格模型，发现 Dirac 点和低能态均发生了显著改变：形成了在 Dirac 点附近产生态密度峰值的低能杂质共振态，该 Dirac 点被破坏并分裂为两个偏离中心的节点。杂质诱导的态向 TI 体相渗透达 10 层。这些发现表明了体相对 TI 稳定性的重要性，以及它们如何破坏表面的拓扑保护。
引用
@article{arxiv.1110.5149,
title = {Strong potential impurities on the surface of a topological insulator},
author = {Annica M. Black-Schaffer and Alexander V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1110.5149},
year = {2015}
}
备注
4+ pages, 3 figures. Published version