Bi$_2$Se$_3$上杂质共振的STM成像
强关联电子
2014-02-14 v1
摘要
本文详细研究了BiSe中缺陷附近的态密度。特别地，我们展示了该体系中常见的三角形缺陷的数据。虽然我们没有发现任何可测量的准粒子散射干涉效应，但我们确实发现了局域共振，一旦将势场视为扩展以正确解释观察到的缺陷，这些共振可以被理论很好地拟合。数据与拟合结果共同证实，尽管在杂质附近，由于低能共振态的产生，表面电子谱狄拉克点附近的局域态密度受到显著干扰，但狄拉克点并未被局域破坏。我们根据拓扑绝缘体预期的受保护表面态讨论了我们的结果。
引用
@article{arxiv.1108.0022,
title = {STM imaging of impurity resonances on Bi$_2$Se$_3$},
author = {Zhanybek Alpichshev and Rudro R. Biswas and Alexander V. Balatsky and James G. Analytis and Jiun-Haw Chu and Ian R. Fisher and Aharon Kapitulnik},
journal= {arXiv preprint arXiv:1108.0022},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 6 figures