利用非磁性杂质在弱相互作用拓扑绝缘体表面自发产生能隙
介观与纳米尺度物理
2015-02-03 v1
摘要
三维拓扑绝缘体（TIs）表面的强非磁性杂质会在狄拉克点附近产生局域共振峰。我们表明，这导致达到磁性表面态所需的临界库仑相互作用强度显著降低，遵循类似 Stoner 的判据。因此，即使是弱相互作用的 TIs，在强非磁性杂质周围也存在有限的（局域）磁化强度。该局域磁化强度产生全局能隙，其大小线性依赖于磁化强度的最大值，但随杂质浓度的降低而减小。
引用
@article{arxiv.1407.2484,
title = {Spontaneous gap generation on the surface of weakly interacting topological insulators using nonmagnetic impurities},
author = {Annica M. Black-Schaffer and Dmitry Yudin},
journal= {arXiv preprint arXiv:1407.2484},
year = {2015}
}
备注
4.5 pages + 1 page supplementary material, 3 figures