拓扑绝缘子中磁杂质诱导能隙的势散射填充
介观与纳米尺度物理
2015-06-03 v2
摘要
我们表明，由于非磁性势的散射，拓扑绝缘体表面上铁磁排列的磁杂质所诱导的能隙可被填充。在连续表面模型和三维紧束缚晶格模型中，我们发现即使在弱势散射下能隙也会消失，因为杂质共振在狄拉克点增加了谱权重。这有助于解释关于能隙是否存在看似矛盾的实验结果。
引用
@article{arxiv.1502.06403,
title = {Filling of magnetic-impurity-induced gap in topological insulators by potential scattering},
author = {A. M. Black-Schaffer and A. V. Balatsky and J. Fransson},
journal= {arXiv preprint arXiv:1502.06403},
year = {2015}
}
备注
5 pages, 4 figures. Published version