拓扑绝缘体薄膜中局域杂质下的散射时间与迁移率
介观与纳米尺度物理
2015-05-20 v1 材料科学
摘要
三维拓扑绝缘体的零能隙表面态承载高迁移率的 Dirac 费米子，其自旋锁定于动量。这种归因于无背散射的高迁移率在表面存在杂质时会降低。具体而言，我们讨论并比较了表面局域杂质的散射时间、位于不同表面且通过杂化势耦合的相反螺旋性态之间的散射，以及磁杂质的作用。磁杂质会产生一个额外的自旋抑制因子。我们考察了扭曲能带的作用及其对能够增强整体表面迁移率的拓扑因子的影响。
引用
@article{arxiv.1505.05070,
title = {Scattering times and mobility with localized impurities in topological insulator films},
author = {Parijat Sengupta and Enrico Bellotti},
journal= {arXiv preprint arXiv:1505.05070},
year = {2015}
}
备注
8 pages, 6 figures