利用非磁性杂质在拓扑绝缘体表面实现近乎完美的背散射
介观与纳米尺度物理
2014-12-11 v3 材料科学
摘要
我们展示了如何仅使用非磁性杂质，在三维拓扑绝缘体的表面态中实现增强的斜散射和类能隙打开。非磁性杂质的增强斜散射是作为散射势的有限尺寸效应获得的。与所产生的斜散射密切相关的是，在杂质周围局域出现类能隙电子态密度，并被尖锐的共振所包围，而在人工设计的杂质结构中则会出现扩展的能隙。
引用
@article{arxiv.1410.2842,
title = {Engineered Near-Perfect Back-Scattering on Surface of Topological Insulator with Non-Magnetic Impurities},
author = {J. Fransson and A. M. Black-Schaffer and A. V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:1410.2842},
year = {2014}
}
备注
5 pages, 4 figures, now also with references