拓扑绝缘体锐利边缘表面的 Dirac 电子
介观与纳米尺度物理
2012-08-31 v1
摘要
强拓扑绝缘体 (STI) 表面出现的未配对无间隙 Dirac 电子受体 - 表对应关系保护，被认为免疫于背散射。然而，当表面由多个具有不同取向的面组成并在锐利角边缘（通常形成阶梯状结构）相互接触时，这种无间隙 Dirac 态是否平滑地扩展至整个表面尚不明显，有待明确验证。在我们考虑的实际情况下，样品的各向异性导致每个此类面具有不同的群速度。在此，我们提出通过研究 STI 双曲表面上的电子态可以获得对此问题的深刻见解。通过显式构造表面有效哈密顿量，我们证明了在凹 阶梯边缘处不发生背散射。同时表明在阶梯边缘附近存在强烈的速度重整化。
引用
@article{arxiv.1208.1571,
title = {Dirac Electrons on a Sharply Edged Surface of Topological Insulators},
author = {Yositake Takane and Ken-Ichiro Imura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1208.1571},
year = {2012}
}
备注
4 pages, 2 figures, to be published in J. Phys. Soc. Jpn