拓扑绝缘体弯曲表面上 Dirac 电子的统一描述
介观与纳米尺度物理
2013-06-18 v2
摘要
受无质量 Dirac 方程描述的受保护表面态的存在，是拓扑绝缘体的定义性特征。尽管该论断在理想化的平坦表面上可被显式验证，但其在多大程度上具有普遍性仍有待探讨。在弯曲表面上，表面 Dirac 方程由自旋联络项修正。本文基于微分几何，给出了从块体拓扑绝缘体哈密顿量出发构建表面 Dirac 方程的一般框架。所得到的统一描述阐明了自旋联络的物理意义。
引用
@article{arxiv.1303.2179,
title = {Unified description of Dirac electrons on a curved surface of topological insulators},
author = {Yositake Takane and Ken-Ichiro Imura},
journal= {arXiv preprint arXiv:1303.2179},
year = {2013}
}
备注
9 pages, 1 figure