强拓扑绝缘体中表面台阶边的散射
介观与纳米尺度物理
2015-03-13 v3 材料科学
摘要
我们研究了强拓扑绝缘体 (STI) 表面台阶边处散射过程的特征，这些特征仅由对 矩阵施加的时间反演对称性和沿台阶边的平移不变性限制所引起。我们表明，在这些限制下可定义的“完全反射”台阶边，允许台阶边附近的局域态密度 (LDOS) 调制以不慢于 的速度衰减，其中 为到台阶边的距离。这比二维电子气 (2DEG) 中的衰减更快——在 2DEG 中 LDOS 以 的速度衰减——且与 STI 表面态背散射抑制的原因相同。我们还计算了 delta 函数散射势下的散射，并论证了\textit{一般}台阶边将产生 衰减的 LDOS 振荡。文中还讨论了其实验意义。
引用
@article{arxiv.0912.4477,
title = {Scattering from Surface Step Edges in Strong Topological Insulators},
author = {Rudro R. Biswas and Alexander V. Balatsky},
journal= {arXiv preprint arXiv:0912.4477},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 3 figures; wording improved to emphasize the broad scope of our calculation.