退相干导致的二维拓扑绝缘体边缘态背散射
介观与纳米尺度物理
2015-11-25 v1
摘要
为了理解二维拓扑绝缘体边缘态电导中看似不存在的温度依赖性，我们进行了一项数值研究，以确定边缘附近电荷 puddle 中退相干与弹性散射联合效应的定量影响。我们表明，如果样品中的 puddle 较大且与样品边缘耦合较弱，则该机制可能是 HgTe/CdTe 量子阱中实验现象的原因。我们提出了在人工 puddle 上进行的实验，以验证这一假设并利用我们的预测提取真实的退相干时间尺度。此外，我们提出了一种在波包时间演化算法中引入退相干效应的新方法。
引用
@article{arxiv.1507.00928,
title = {Two-dimensional topological insulator edge state backscattering by dephasing},
author = {Sven Essert and Viktor Krueckl and Klaus Richter},
journal= {arXiv preprint arXiv:1507.00928},
year = {2015}
}
备注
7 pages, 5 figures