跨越碲化铋表面势垒的从头算输运
介观与纳米尺度物理
2014-12-18 v4
摘要
我们通过大规模从头算输运模拟，研究了阶梯边缘形式的势垒对 BiSe(111) 拓扑表面态散射性质的影响。我们的结果证明了对完美背散射的抑制，而所有不涉及完全自旋和动量反转的其他散射过程都是允许的。此外，我们发现表面态的自旋在穿越势垒时会产生一个面外分量。我们的计算揭示了表面势垒附近准束缚态的存在，这些态表现为对应于拓扑态能量窗口内增强的态密度。对于双势垒，我们证明了量子阱态的形成。为了补充我们的第一性原理结果，我们构建了一个二维低能有效模型，并表明能带弯曲在散射过程中起着重要作用。我们在一些近期实验工作的背景下讨论了我们的发现。
引用
@article{arxiv.1403.2607,
title = {Ab-initio transport across Bismuth Selenide surface barriers},
author = {Awadhesh Narayan and Ivan Rungger and Andrea Droghetti and Stefano Sanvito},
journal= {arXiv preprint arXiv:1403.2607},
year = {2014}
}
备注
Updated text, published version