非磁性杂质导致二维拓扑绝缘体中电导量子化失效
介观与纳米尺度物理
2019-01-08 v3
摘要
尽管存在拓扑保护且无磁性杂质，二维拓扑绝缘体仅在令人惊讶的短通道中显示量子化电导，对于原子级薄材料，该通道可短至100 nm。我们表明，位于边缘附近的点状非磁性杂质与在位电子-电子相互作用的共同作用，有效地产生了非共线磁性散射体，从而导致强背散射。该机制即使在零温度和中等强度的电子-电子相互作用下也会引起对量子化的偏离。我们的理论提供了一个直接的概念框架来解释实验结果，尤其是那些受短程边缘无序困扰的原子级薄晶体中的结果。
引用
@article{arxiv.1806.10344,
title = {Failure of conductance quantization in two-dimensional topological insulators due to non-magnetic impurities},
author = {Pietro Novelli and Fabio Taddei and Andre K. Geim and Marco Polini},
journal= {arXiv preprint arXiv:1806.10344},
year = {2019}
}
备注
8 pages, 9 figures, 5 appendices