二维拓扑绝缘体体相中的非磁性缺陷
介观与纳米尺度物理
2015-02-17 v1
摘要
我们发现，二维拓扑绝缘体中的非磁性缺陷会为每种自旋取向诱导两种类型的束缚态：电子型和空穴型态。取决于缺陷势的符号，这些态还可分为两种，其电子密度分布各不相同：密度在中心处呈现极大值或极小值。由拓扑序引起的一个惊人效应是，束缚态能量对缺陷势具有奇异依赖性。
引用
@article{arxiv.1408.2629,
title = {Non-magnetic defects in the bulk of two-dimensional topological insulators},
author = {Vladimir A. Sablikov and Aleksei A. Sukhanov},
journal= {arXiv preprint arXiv:1408.2629},
year = {2015}
}
备注
4 pages, 2 figures, to be published in Physica Status Solidi RRL