拓扑绝缘体中的非线性自旋磁化率
介观与纳米尺度物理
2018-05-16 v2
摘要
我们从理论上研究了杂质共振对三维拓扑绝缘体表面态中磁性杂质间间接交换相互作用的影响。该相互作用由各向同性海森堡项、各向异性伊辛项和 Dzyaloshinskii-Moriya 项组成。我们发现这三项在狄拉克点处均不为零，这与线性响应理论预测 Dzyaloshinskii-Moriya 项消失的结果形成鲜明对比。我们表明，与海森堡项和伊辛项相比，杂质散射的自旋无关分量可以产生很大的 DM 项，而后两项的大小急剧减小并发生符号改变。因此，共线与非共线构型均为杂质允许的磁构型。
引用
@article{arxiv.1801.07125,
title = {Non-Linear Spin Susceptibility in Topological Insulators},
author = {Mahroo Shiranzaei and Jonas Fransson and Hosein Cheraghchi and Fariborz Parhizgar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1801.07125},
year = {2018}
}