拓扑绝缘体的新候选者：铅基硫族化物系列
材料科学
2015-05-19 v1
摘要
在此，我们从理论上预测，铅基层状硫族化物系列PbBiSe和PbSbTe是拓扑绝缘体的可能新候选者。随着的增加，两个系列均发现从拓扑绝缘体到能带绝缘体的相变发生在和3之间。值得注意的是，在这些新的拓扑绝缘体中，我们发现PbBiSe的体带隙为0.40 eV，是带隙最大的拓扑绝缘体之一；而PbSbTe位于拓扑相边界附近，使其拓扑相易于通过改变外部参数(如晶格常数)进行调控。由于相边界处的三维狄拉克锥，在PbSbTe中也可能容易获得无质量狄拉克费米子。
引用
@article{arxiv.1007.5480,
title = {New Candidates for Topological Insulators : Pb-based chalcogenide series},
author = {Hosub Jin and Jung-Hwan Song and Arthur J. Freeman and Mercouri G. Kanatzidis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.5480},
year = {2015}
}