作为拓扑绝缘体类似物的PbTe/PbSnTe异质结构
介观与纳米尺度物理
2012-06-01 v3
摘要
我们从理论上研究了沿 [111] 方向生长的 PbTe/PbSnTe 异质结构，特别是嵌入在 PbSnTe 中的 PbTe 量子墙（宽度为 的势阶）。对于足以导致能带反转的 值以及较大的 ，存在与四个 L 谷相关联的众所周知的无能隙界面态。我们证明，当 nm 时，来自斜谷的三对态强烈耦合，并产生约 10 meV 的能隙。另一方面，来自 [111] 谷的界面态基本未耦合，它们保留了螺旋特性，类似于三维拓扑绝缘体薄层表面的态。这为在已被广泛研究的 IV-VI 族半导体异质结构中研究二维螺旋 Dirac 费米子物理提供了可能。
引用
@article{arxiv.1202.2315,
title = {PbTe/PbSnTe heterostructures as analogs of topological insulators},
author = {Ryszard Buczko and Łukasz Cywiński},
journal= {arXiv preprint arXiv:1202.2315},
year = {2012}
}
备注
6 pages, 4 figures, final version published in Phys. Rev. B