多谷拓扑异质结构中界面态与质量态的相互作用
介观与纳米尺度物理
2022-07-07 v1 材料科学
其他凝聚态物理
摘要
研究了多谷系统中的拓扑界面态以揭示其谷敏感性。为此，利用高达 34 特斯拉的磁光朗道能级谱探讨了多谷 IV-VI 拓扑晶体绝缘体（TCI）异质结构。我们表征了沿 [111] 方向生长的 Pb1-xSnxSe 多量子阱中源自不同 L 谷的拓扑界面态。结果表明， residing 于 TCI/平凡绝缘体界面的拓扑界面态的二维费米面形状受到拓扑平凡 Pb1-yEuySe 势垒的谷各向异性的强烈影响。这一现象被表明是由于拓扑界面态向势垒的深层穿透所致。对于相对于限域方向倾斜的谷，观察到拓扑态与常规质量量子阱态之间的显著相互作用，其表现为朗道能级间 resulting 的大反交叉。这些通过考虑二维谷倾斜与各向异性的 k.p 模型在理论上得到了很好描述。因此，我们的工作提供了拓扑界面态谷分裂的精确表征，以及对其狄拉克锥色散各向异性的准确测定。
引用
@article{arxiv.2202.05640,
title = {Interaction between interface and massive states in multivalley topological heterostructures},
author = {Gauthier Krizman and Badih A. Assaf and Milan Orlita and Guenther Bauer and Gunther Springholz and Robson Ferreira and Louis-Anne de Vaulchier and Yves Guldner},
journal= {arXiv preprint arXiv:2202.05640},
year = {2022}
}
备注
19 pages, 6 figures