拓扑绝缘体表面的狄拉克量子阱工程
介观与纳米尺度物理
2020-11-03 v2 高能物理 - 理论
量子物理
摘要
我们研究一种由薄拓扑绝缘体夹于两个平庸绝缘体之间构成的量子阱。更具体地,我们考虑这些不同材料间的光滑界面,使得界面不仅承载由体-边对应关系所决定的手性界面态,还承载有质量的Volkov-Pankratov态。我们研究了这些界面态之间随拓扑材料宽度及特征界面尺寸变化的潜在杂化。最显著的是,我们发现手性界面态上极弱的影响与有质量Volkov-Pankratov态更常见的杂化之间存在强烈的定性差异,后者可在我们此处在(Dirac)量子阱模型框架下通过量子隧穿轻易理解。
引用
@article{arxiv.2007.13978,
title = {Dirac quantum well engineering on the surface of topological insulator},
author = {Xin Lu and Mark-Oliver Goerbig},
journal= {arXiv preprint arXiv:2007.13978},
year = {2020}
}
备注
accepted for publication in PRB (13 pages with appendix + 7 figures)