(Pb,Sn)Se (001) 不平整表面上的拓扑态
介观与纳米尺度物理
2018-12-07 v1 材料科学
摘要
本文从理论上研究了表面形貌对拓扑晶体绝缘体电子结构的影响。作为一个例子,我们建模了具有原子高度台阶的 (001) (Pb,Sn)Se 表面上受拓扑保护的电子态结构。在包络函数模型中表明,导致表面态色散呈现奇特“双狄拉克锥”形状的谷混合现象,关键取决于表面结构。通过改变台阶中原子层的宽度与数目,对近期实验发现——即束缚于奇数高度原子台阶边缘的一维态的出现,以及粗糙表面上“双狄拉克锥”结构的坍缩——给出了全面解释。该方法也使我们能够确定刻画台阶及其界面的拓扑指数。在 (Pb,Sn)Se 的 (001) 表面上,相邻台阶被发现由不同的绕数拓扑不变量值所描述。
引用
@article{arxiv.1808.07779,
title = {Topological states on uneven (Pb,Sn)Se (001) surfaces},
author = {Rafał Rechciński and Ryszard Buczko},
journal= {arXiv preprint arXiv:1808.07779},
year = {2018}
}
备注
9 pages, 7 figures + 9 pages, 3 figures in the Supplemental Material