拓扑绝缘体/莫特绝缘体异质结中的界面现象研究
强关联电子
2013-09-13 v1
摘要
我们从理论上研究了由拓扑绝缘体 (TI) 和莫特绝缘体 (MI) 组成的二维异质结，并阐明了在界面处可以实现何种电子态。通过利用非均匀动力学平均场理论，我们确认穿透到 MI 区域的拓扑边缘态会诱导产生一种类重费米子的带隙中间态。我们进一步阐明了该带隙中间态的空间调制准粒子权重的性质，并讨论了 TI 区域中局域关联效应的影响。此外，我们还计算了改变界面附近电子隧穿时的光学电导率和德鲁德权重。
引用
@article{arxiv.1309.3092,
title = {Study of interface phenomena in a topological-insulator/Mott-insulator heterostructure},
author = {Suguru Ueda and Norio Kawakami and Manfred Sigrist},
journal= {arXiv preprint arXiv:1309.3092},
year = {2013}
}
备注
6 pages, 4 figures, proceedings for SCES 2013