TlBiSe2类拓扑绝缘体中的单狄拉克锥拓扑表面态
介观与纳米尺度物理
2015-05-19 v1 材料科学
摘要
我们研究了与(Pb,Sn)Te系列化合物相关的几种强自旋-轨道耦合三元硫族化合物。我们的第一性原理计算预测，TlBiTe2、TlBiSe2和TlSbX2（X=Te, Se, S）的低温柔软有序相是拓扑非平凡的Kane-Mele Z2 = -1相。通过第一性原理表面态计算，我们确定了实现单狄拉克锥的特定表面终止。这种终止最小化了悬挂键的影响，使其有利于光发射（ARPES）实验。我们的分析预测，这些材料的薄膜将孕育新型二维量子自旋霍尔态，并支持奇宇称拓扑超导电性。相关工作也可参见arXiv:1003.2615v1。实验ARPES结果将另行发表。
引用
@article{arxiv.1007.2360,
title = {Single-Dirac-Cone topological surface states in TlBiSe2 class of Topological Insulators},
author = {H. Lin and R. S. Markiewicz and L. A. Wray and L. Fu and M. Z. Hasan and A. Bansil},
journal= {arXiv preprint arXiv:1007.2360},
year = {2015}
}
备注
Accepted for publication in Phys. Rev. Lett. (2010). Submitted March 2010