MnBi$_2$Te$_4$中的未占据拓扑表面态
介观与纳米尺度物理
2022-08-16 v1 材料科学
摘要
通过第一性原理计算研究了磁性拓扑绝缘体MnBiTe能带结构的未占据部分。我们发现了第二个未占据的拓扑表面态,其电子结构与著名的已占据拓扑表面态相似。该态在能量上位于点附近已占据狄拉克表面态上方约 eV处,可被双光子角分辨光电子能谱直接观测。我们为已占据与未占据表面态提出了统一的有效模型。由于这两个表面态之间存在直接光学耦合,我们进一步提出两种光学效应来探测未占据表面态。其一为奇数层中非消失交流霍尔电导引起的极向克尔效应,其二为偶数层中的高阶太赫兹边带产生,其中未占据表面态的非零贝里曲率可由光发射的巨大法拉第旋转直接观测。
引用
@article{arxiv.2108.09055,
title = {Unoccupied Topological Surface State in MnBi$_2$Te$_4$},
author = {Yadong Jiang and Zhaochen Liu and Jing Wang},
journal= {arXiv preprint arXiv:2108.09055},
year = {2022}
}
备注
7 pages, 3 figures