MoS2：获取与调控石墨烯电子特性的理想衬底

石墨烯研究与应用中持久的挑战之一是其载流子对外部扰动（尤其是由衬底引入的扰动）极度敏感。迄今为止最好的可用衬底——石墨和 hBN——仍存在局限性：石墨具有金属性，无法进行门控；而 hBN 和石墨的晶格结构与石墨烯高度匹配，可能导致显著的能带结构重构。在此，我们表明剥离出的 MoS2 的原子级光滑表面提供了获取石墨烯本征电子结构的途径，且无上述缺点。利用扫描隧道显微镜和朗道能级谱学，在允许调节载流子浓度的器件配置中，我们发现 MoS2 上的石墨烯超平坦，产生了长平均自由程，同时避免了能带结构重构。重要的是，可以通过相对较低的门电压改变费米能级的位置来调控 MoS2 衬底的屏蔽效应。我们表明，将费米能级从带隙移至导带边缘会增强屏蔽效应，并显著增加平均自由程和准粒子寿命。因此，MoS2 衬底为获取石墨烯的本征电子特性以及原位研究屏蔽效应对电子 - 电子相互作用和输运的影响提供了独特的机会。