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Fe$_3$GeTe$_2$范德瓦耳斯铁磁薄膜的动力学控制外延生长

材料科学 2022-07-28 v1 介观与纳米尺度物理

摘要

我们证明,在利用分子束外延进行Fe3_3GeTe2_2(FGT)范德瓦耳斯(vdW)铁磁薄膜的外延生长时,动力学起着重要作用。通过改变沉积速率,我们控制初始缺碲非范德瓦耳斯相(Fe3_3Ge2_2)的形成或抑制,从而实现vdW FGT相的外延生长。利用截面扫描透射电子显微镜和扫描隧道显微镜,我们将FGT薄膜优化为具有原子级平整表面以及与Ge(111)衬底的 abrupt 界面。我们通过磁光、磁输运和自旋极化STM研究确认了高质量材料的磁学性质。重要的是,这表明能量与动力学的相互作用可帮助调节硫族原子从下层的再蒸发速率和互扩散,为未来范德瓦耳斯外延研究铺平道路。

关键词

引用

@article{arxiv.2202.04225,
  title  = {Kinetically-controlled epitaxial growth of Fe$_3$GeTe$_2$ van der Waals ferromagnetic films},
  author = {Wenyi Zhou and Alexander J. Bishop and Menglin Zhu and Igor Lyalin and Robert C. Walko and Jay A. Gupta and Jinwoo Hwang and Roland K. Kawakami},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2202.04225},
  year   = {2022}
}

备注

18 pages, 4 figures