利用纳米角分辨光电子能谱研究具有非零堆垛角的转移石墨烯/h-BN范德瓦耳斯异质结电子结构
材料科学
2017-02-01 v1 介观与纳米尺度物理
摘要
在范德瓦耳斯异质结构中，来自莫尔超晶格的周期势可用作调节组成材料电子结构的旋钮。本文展示了利用纳米级角分辨光电子能谱（Nano-ARPES）对具有分别为2.4{\deg}和4.3{\deg}两种不同堆垛角的转移石墨烯/h-BN异质结构的研究。我们的测量揭示了在超晶格布里渊区（SBZ）中心处石墨烯狄拉克锥的六个复制。SBZ的尺寸及其相对于石墨烯BZ的旋转角与从原子力显微镜（AFM）测量提取的莫尔超晶格周期良好吻合。与具有0{\deg}堆垛角的外延石墨烯/h-BN的比较表明，石墨烯与h-BN之间的相互作用随堆垛角增大而减小。
引用
@article{arxiv.1701.09013,
title = {Electronic structure of transferred graphene/h-BN van der Waals heterostructures with nonzero stacking angles by nano-ARPES},
author = {Eryin Wang and Guorui Chen and Guoliang Wan and Xiaobo Lu and Chaoyu Chen and Jose Avila and Alexei V Fedorov and Guangyu Zhang and Maria C Asensio and Yuanbo Zhang and Shuyun Zhou},
journal= {arXiv preprint arXiv:1701.09013},
year = {2017}
}