外延生长1T-TaTe$_2$中的新型$\sqrt{19}\times\sqrt{19}$超结构
材料科学
2022-10-06 v1
摘要
电子序的自发形成是理解二维材料中复杂量子态和构建异质结构的关键要素。我们报道了通过分子束外延生长的少数层厚1T-TaTe过渡金属硫族化物薄膜中一种新型电荷序，此前尚未实现。我们的光电子能谱和扫描探针测量表明，单层1T-TaTe表现出多种亚稳电荷密度波序，包括超结构，可通过控制生长后退火温度选择性稳定。此外，我们发现只有序在厚于单层的1T-TaTe薄膜中持续存在，直至8层。我们的发现确定了这一被广泛研究的过渡金属硫族化物中先前未实现的新型电子序，并提供了在外延生长过程中控制它的可行途径。
引用
@article{arxiv.2210.02010,
title = {A novel $\sqrt{19}\times\sqrt{19}$ superstructure in epitaxially grown 1T-TaTe$_2$},
author = {Jinwoong Hwang and Yeongrok Jin and Canxun Zhang and Tiancong Zhu and Kyoo Kim and Yong Zhong and Ji-Eun Lee and Zongqi Shen and Yi Chen and Wei Ruan and Hyejin Ryu and Choongyu Hwang and Jaekwang Lee and Michael F. Crommie and Sung-Kwan Mo and Zhi-Xun Shen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2210.02010},
year = {2022}
}