单层 1H- 和 1T'-WTe2 的选择性制备
介观与纳米尺度物理
2025-01-30 v1 材料科学
摘要
我们通过控制 epitaxy 过程中基片温度，选择性制备了六方形 (1H) 和扭曲三角 (1T') WTe2 单层。结合角分辨光子能谱(ARPES)和第一性原理带结构计算，揭示了这两种多形态之间存在严重差异。1T' 相表现出准半导体特性，具有几乎为零的能隙；而 1H 相表现出较大的能隙，并在 K/K' 点处出现带分裂。本研究结果为开发基于 WTe2 的纳米电子器件提供了一条路径。
引用
@article{arxiv.2501.17527,
title = {Selective Fabrication of Monolayer 1H- and 1T'-WTe2},
author = {Ryuichi Ando and Katsuaki Sugawara and Tappei Kawakami and Takashi Takahashi and Takafumi Sato},
journal= {arXiv preprint arXiv:2501.17527},
year = {2025}
}