单层 IrTe2 中的大带隙绝缘二聚体基态
材料科学
2022-04-01 v1
摘要
二维范德瓦耳斯材料的单层由于层间耦合缺失导致的对称性破缺和屏蔽减弱，展现出区别于其块体的新颖电子相。在本工作中，我们结合角分辨光电子能谱和扫描隧道显微镜/谱学，证明了单层 1T-IrTe2 中出现了独特的绝缘 2×1 二聚体基态，其具有大带隙，而该材料的双层至块体形式均为金属性。第一性原理计算表明，声子与电荷不稳定性以及局域键的形成共同增强并稳定了电荷有序基态。我们的发现为在无强层间耦合情况下出现的、具有相似能量尺度的相互作用之间微妙平衡提供了重要见解，这为调控二维单层的特性提供了新机遇。
引用
@article{arxiv.2203.16769,
title = {Large-gap insulating dimer ground state in monolayer IrTe2},
author = {Jinwoong Hwang and Kyoo Kim and Canxun Zhang and Tiancong Zhu and Charlotte Herbig and Sooran Kim and Bongjae Kim and Yong Zhong and Mohamed Salah and Mohamed M. El-Desoky and Choongyu Hwang and Zhi-Xun Shen and Michael F. Crommie and Sung-Kwan Mo},
journal= {arXiv preprint arXiv:2203.16769},
year = {2022}
}