通过钾插层修饰的锰酞菁的电子结构：一项综合实验研究
化学物理
2017-02-14 v1 材料科学
摘要
钾(K)插层的锰酞菁(MnPc)在其费米能级附近的电子态发生巨大变化。然而，关于其电子构型的理论研究存在争议。本文利用紫外光电子能谱、X射线光电子能谱、反光电发射谱以及近边X射线吸收精细结构谱，研究了掺K的MnPc。随着K的插层，费米能级向最低未占分子轨道移动，用施主电子将其填满，并在占据态的能量区域出现额外特征。电子能带被钉扎在费米能级上方0.5 eV和下方0.4 eV处。Mn L3和L2边的分支比表明自旋态增加。此外，Mn L和N K边的演化揭示了MnPc中Mn 3d与N 2p态的强杂化，并阐明了基态和n掺杂构型中的电子占据情况。
引用
@article{arxiv.1702.03575,
title = {Electronic Structure of Manganese Phthalocyanine Modified via Potassium Intercalation: a Comprehensive Experimental Study},
author = {Francisc Haidu and Ovidiu D. Gordan and Dietrich R. T. Zahn and Lars Smykalla and Michael Hietschold and Boris V. Senkovskiy and Benjamin Mahns and Martin Knupfer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1702.03575},
year = {2017}
}
备注
28 pages, 6 figures + abstract graphic