p型GaN中Mn4+离子的电子态

B. Han; B. W. Wessels; M. P. Ulmer

p型GaN中Mn4+离子的电子态

材料科学 2007-05-23 v1

作者: B. Han , B. W. Wessels , M. P. Ulmer

摘要

利用光致发光（PL）和光致发光激发（PLE）光谱研究了p型GaN中锰的电子态。在共掺杂的GaN中观察到一系列位于1.0 eV的尖锐PL线，并将其归因于Mn4+离子的d壳层内跃迁 4T2(F)-4T1(F)。Mn4+ [4T2(F)-4T1(F)] 发光的PLE光谱揭示了通过Mn4+离子激发态的腔内激发过程。在1.79和2.33 eV处观察到的PLE峰分别归因于Mn4+的d壳层内 4T1(P)-4T1(F) 和 4A2(F)-4T1(F) 跃迁。除了壳层内激发过程外，还观察到一个涉及Mn4+/3+深能级电荷转移跃迁的宽PLE带，该带可以用Lucovsky模型很好地描述。根据该PLE带的起始点确定，Mn4+/3+深能级位于价带最大值上方1.11 eV处，这与先前使用从头算方法的理论一致。我们的工作表明，当费米能级低于价带最大值上方1.11 eV时，4+是p型GaN:Mn中Mn离子的主要氧化态。

关键词

GaN Mn4+离子光致发光光致发光激发深能级电荷转移跃迁

引用

@article{arxiv.cond-mat/0406228,
  title  = {Electronic states of Mn4+ ions in p-type GaN},
  author = {B. Han and B. W. Wessels and M. P. Ulmer},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0406228},
  year   = {2007}
}

备注

Submitted to Appl. Phys. Lett

p型GaN中Mn4+离子的电子态

摘要

关键词

引用

备注

相关论文